宝亿科技(图)-立式圆管抛光机-圆管抛光机

手机外壳自动打磨机详细介绍！

一、手机外壳抛光机、打磨机简介

这款产品不但能完成手机外壳全自动打磨、抛光、清洁，立式圆管抛光机，顺应五金、压铸、塑料、石材等各种材质，可俭省70%的人力，手机外壳打磨机新研发的智能打磨设备，合适塑胶外壳、镁铝合金、塑胶+玻纤、铝合金、不锈钢等材质打磨。

二、东莞宝亿手机外壳抛光机、打磨机特性及特点：

1.合适大范围产线打磨，能快速打磨产品外表、周边合模线及周边圆角。

2.取代传统打磨方式：可依据客户需求打磨恣意尺寸手机外壳产品。

3.人性化设计：亚克力外罩牢靠维护操作工人，自动吸尘、工作面整洁洁净。

4.操作简单：一台可省4-6名工人，俭省人工率达65%-80%。

5.耗材本钱低：磨头均匀耗费没PCS仅1分多钱，8个月即可收回设备本钱。

6.打磨精度高，质量稳定、效率高。

三、手机外壳抛光机、打磨机局部参数

1        电源电压            380V-50hz

2        主电机                7.5KW*3

3        总功率                27KW

4        抛光轮                3个

5        气源气压            0.5-0.8Mpa

6        耗材规格           ∮500mm*∮50mm

7        伺服电机           X Y Z轴1.5KW*3

8        设备重量           1800KG

9        外型尺寸           3000*1800*1900mm（长*宽*高）

四、手机外壳抛光机、打磨机常见问题解决办法

全自动化手机壳抛光机，该手机壳抛光机普遍应用在手机、平板电脑等面壳制造业，注塑成型出来的手机面壳注塑成型时会有分离线，假如不对分离线进行打磨和抛光，会影响后续UV、电镀工序，所以需要人工对分离线打磨、而人工打磨效率较低、质量不稳定、良品率较低、灰尘较大反复单调的工作对年轻人没有吸收力，砂带圆管抛光机，而手机壳抛光机的问世解决了企业主的长期烦恼，相对于人工打磨，全自动手机壳抛光机不只能够加大工作效率、改善工作环境、提高良品率、重要的是一台手机壳抛光机可抵4-6名工人，磨头均匀耗费每Pcs仅一分钱左右，几个月收回设备本钱，也可用于五金类抛光打磨，明显提升了生产效率和俭省了人工本钱，同时也减少管理员工的烦恼。

圆盘自动抛光机主要适用于立体型金属产品的外表面抛光，如生活中常见的水壶，保温杯，圆管抛光机，香水瓶盖等等，机器的特点是有多个抛光头可以对不同抛光部位一次性完成抛光作业，达到成品的效果，不锈钢圆管抛光机，相对于传统的人工抛光，圆盘自动抛光机在时间上更快，工艺要求上所达到的效果更是人工抛光比不了的，一台机器代替4-6个抛光工完全没有问题，如今的工业社会发展越来越快，消费者对产品的质量要求也越来越高，如何用更高的效率和更好的服务来赢得消费者的青睐是每个工厂要面对的严峻问题，东莞宝亿自动化科技有限公司在抛光设备行业一直是人物，公司要求必须严谨创新，想客户所想，设身处地为客户考虑，解决客户难题，并提供一系列完善的售后服务。

抛光液是

CMP

的关键要素之一

，

抛光液的性能直接影响抛光后表面的质量。抛光液一般

由超细固体粒子研磨剂

(

如纳米

SiO2

、

A12O3

粒子等

)

、表面活性剂、稳定剂、氧化剂

等组成

，

固体粒子提供研磨作用

，

化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。抛光液的化学成分及浓

度、磨粒的种类、大小、形状及浓度、抛光液的粘度、

pH

值、流速、流动途径对

CM

过程中的材料去除速度都有影响。目前

CMP

的抛光液通常使用球形纳米级颗粒来加速

切除和优化抛光质量

，

如胶体

SiO2

粒子

，

改变了抛光液的流变性能

，

可以用微极性来表征

这类流体的流变性能。张朝辉等

[2]

给出了考虑微极性效应的

CMP

运动方程

，

并进行了

数值求解

，

数值模拟结果表明

，

微极性将提高抛光液的等效粘度从而在一定程度上提高其

承载能力

，

加速材料去除

，

这在低节距或低转速下尤为明显

，

体现出尺寸依赖性。

Lei[3， 4]

等系统研究了纳米

SiO2

抛光液对镍磷敷镀的硬盘基片的化学机械抛光性能

，

发现抛光

液的抛光性能与抛光液中纳米

SiO2

粒子的粒径及浓度、氧化剂的用量、抛光液的

pH

值、抛光液的流量等均有关

，

适宜的抛光液组成为

:

粒径

30nm

和浓度

5% ~6%

、氧化

剂的用量

1% ~2%

、抛光液的

pH

值

1. 8

、流量不小于

300mL/min，

但是过大的流量对

抛光性能没有进一步提高

，

只会增加成本。朱永华

[5]

等采用纳米

SiO2

作为抛光磨料在

不同抛光液条件下

(pH

值、表面活性剂、润滑剂等

)

对玻璃基片

CMP

去除速率和表面质

量的变化规律进行了研究

，

并利用原子力显微镜和光学显微镜观察了抛光表面的微观形

貌。张建新等

[6]

以

LB2Mer

模型为理论指导对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散

度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析

，

制得了符合高质量、率

CMP

的大粒径

(

平均粒径为

112nm)

、低分散度

(

接近于

1. 00)

硅溶胶研磨料

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