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科技部发布新材料技术超高纯铝靶材项目申请
北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作,为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。
科技部发布新材料技能超高纯铝靶材项目请求
据科技部音讯:物理汽相堆积(PVD)是半导体芯片和TFT-LCD生产进程中最关键的技能之一,PVD用溅射金属靶材是半导体芯片生产及TFT-LCD制备加工进程中最重要的原材料之一,镍铬靶批发,溅射金属靶材中用量很大的是超高纯铝和超高纯洁铝合金靶材。
由此可见,研制具有自主的大尺度超高纯铝靶材的制造关键技能,开宣布满意半导体职业及TFT-LCD工业需要的超高纯铝靶材商品,关于中国有关工业的展开具有重要意义。
为公平、公平、公开地挑选项目承担单位,充分调动有关企业、科研院所及高等院校的积极性,镍铬靶厂家,集成全国在铝的精炼提纯、大尺度铝板形变加工及溅射金属靶材专业制备等范畴的优势研制力量展开本项意图作业,科技部发布了《国家高技能研讨展开方案(863方案)新材料技能范畴“大尺度超高纯铝靶材的制造技能”重点项目请求指南》。
石久高研专注15年提供高纯金属靶材 、高纯靶材欢迎来电咨询~~~
真空镀膜靶材
北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作,为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。
靶中毒的影响因素
影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例,反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率,化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下,参与化合物生成的反应气体量增加,化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度,化合物覆盖面积增加,如果不能及时调整反应气体流量,镍铬靶,化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制,溅射沟道将进一步被化合物覆盖,当溅射靶被化合物全部覆盖的时候,靶完全中毒,在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。
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